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Efecto de la distribución superficial de potencial eléctrico en GaAs, debida a un potencial eléctrico externo, sobre imágenes de electrones secundarios en microscopía electrónica de barrido

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articulo2.pdf (793.7Kb)
Data
2011-06-21
Autor
Miranda, David A.
López Rivera, Santos Adan
Mora, A. E.
Palabras Clave
Distribución superficial, Potencial eléctrico, Semiconductor GaAs, Microscopía electrónica
EDS images, GaAs semiconductor
Metadatos
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Resumo
Se estudió el efecto sobre las imágenes de electrones secundarios, retrodispersados y EDS debidos a la aplicación de un potencial eléctrico externo sobre una muestra semiconductora de GaAs. La distribución de potencial sobre la muestra fue modelada por elementos finitos, encontrándose similitudes significativas entre el modelo y las imágenes de electrones secundarios tomadas en la muestra semiconductora. Los resultados obtenidos evidencian que la distribución de potencial eléctrico sobre la superficie del GaAs afecta las imágenes de electrones secundarios, más no las imágenes de electrones retrodispersados ni de EDS.
URI
http://www.saber.ula.ve/handle/123456789/33367
Colecciones
  • Avances en Química - Vol 006 - Nº 001
Información Adicional
Correo Electrónicodalemir@uis.edu.co
ISBN1856-3201
Resumen en otro IdiomaThe effects upon the images of secondary electrons, back-scattered electrons and energy dispersive spectroscopy (EDS) spectrum, due to an external electrical potential applied to a GaAs semiconductor surface, were studied. The potential distribution over the semiconductor surface was modeled by finite elements. Significant similarities between the model and secondary electrons images were observed. The results show that the GaAs surface electrical potential distribution affects the images of secondary electrons, but it does not affect the images of neither the backscattering electrons nor the EDS.
Colación9-15
Periodicidadcuatrimestre
Publicación ElectrónicaRevista Avances en Química
SecciónRevista Avances en Química: Nota Técnica

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